Производитель Номер продукта:
IXFN200N10P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN200N10P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
37 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821724
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN200N10P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
680W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFC20N80P
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
IXTA4N80P
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IXFN180N07
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
