Производитель Номер продукта:
IXFN210N30P3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN210N30P3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Подробное описание:
N-Channel 300 V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821931
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN210N30P3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
192A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
268 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
-IXFN210N30P3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFT20N80P
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
IXFH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
IXTP1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
