Производитель Номер продукта:
IXFN36N100
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN36N100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 36A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12821584
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN36N100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN36
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
IXFN36N100-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFN38N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFN38N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
36.22
Тип замещения
Similar
Номер детали
APT41F100J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
72
Номер части
APT41F100J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
49.87
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
VMO550-01F
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD