Производитель Номер продукта:
IXFN52N100X
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN52N100X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 44A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
12907031
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN52N100X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6725 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN52
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFA3N80
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IRFR9210TR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
