Производитель Номер продукта:
IXFN80N60P3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFN80N60P3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Подробное описание:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
8 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12909654
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFN80N60P3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXFN80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
-IXFN80N60P3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFBC40STRL
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40LCSTRR
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
2N6660JTXP02
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
