IXFP10N60P
Производитель Номер продукта:

IXFP10N60P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFP10N60P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

70 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821704
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
EZzs
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFP10N60P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
740mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1610 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXFP10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
littelfuse

IXTN170P10P

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

littelfuse

IXTP170N075T2

MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

littelfuse

IXTQ30N50L2

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P

littelfuse

IXTN200N10L2

MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B