IXFP12N65X2M
Производитель Номер продукта:

IXFP12N65X2M

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFP12N65X2M-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Инвентаризация:

295 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12911708
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFP12N65X2M Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1134 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Isolated Tab
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
IXFP12

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7852ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7820DN-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRL620PBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFPS38N60L

MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247