Производитель Номер продукта:
IXFP18N65X2M
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFP18N65X2M-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Инвентаризация:
13270746
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFP18N65X2M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
290W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Isolated Tab
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
IXFP18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
238-IXFP18N65X2M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM080NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
TSM052NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
IXTA100N04T2-TRL
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
