IXFP4N100P
Производитель Номер продукта:

IXFP4N100P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFP4N100P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

12909480
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFP4N100P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1456 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXFP4N100

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STP5NK100Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3779
Номер части
STP5NK100Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.69
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

5LN01SS-TL-E

MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP

littelfuse

IXFN30N110P

MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

vishay-siliconix

IRF9510STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

vishay-siliconix

IRFIB5N65APBF

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3