IXFQ28N60P3
Производитель Номер продукта:

IXFQ28N60P3

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFQ28N60P3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-3P

Инвентаризация:

273 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12904778
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFQ28N60P3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
260mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3560 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
695W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
IXFQ28

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXFQ28N60P3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

ZXMN2B01FTA

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

diodes

ZVN4424A

MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3

vishay-siliconix

IRF830APBF

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

littelfuse

IXTH36P10

MOSFET P-CH 100V 36A TO247