Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IXFR32N80Q3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFR32N80Q3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
Подробное описание:
N-Channel 800 V 24A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Инвентаризация:
57 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12908620
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFR32N80Q3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Q3 Class
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6940 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ISOPLUS247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFR32
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IXFR32N80Q3
HTML Спецификация
IXFR32N80Q3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXFR32N80Q3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR11N25D
MOSFET N-CH 250V DPAK
IRFP27N60K
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
IRFBG20PBF
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
IRFZ14STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK