IXFR36N50P
Производитель Номер продукта:

IXFR36N50P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFR36N50P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Подробное описание:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 156W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Инвентаризация:

23 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12910765
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFR36N50P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ISOPLUS247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFR36

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXFR36N50P

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STW28NM50N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
144
Номер части
STW28NM50N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.81
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRLI620G

MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3

vishay-siliconix

IRF620PBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

littelfuse

IXTP300N04T2

MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9Z24STRLPBF

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK