Производитель Номер продукта:
IXFT120N25X3HV
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT120N25X3HV-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Подробное описание:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Инвентаризация:
87 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820817
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
29zX
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT120N25X3HV Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X3
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7870 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFE24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
IXFA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
