IXFT24N90P
Производитель Номер продукта:

IXFT24N90P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFT24N90P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Подробное описание:
N-Channel 900 V 24A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Инвентаризация:

510 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905204
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFT24N90P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
420mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
660W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT24

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

ZVP2110ASTOB

MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE

littelfuse

IXTY08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

diodes

ZXMN10A07FTA

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

littelfuse

IXFT150N30X3HV

MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV