IXFT26N50Q
Производитель Номер продукта:

IXFT26N50Q

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFT26N50Q-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Подробное описание:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Инвентаризация:

12916988
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFT26N50Q Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT26

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IXTT30N60L2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTT30N60L2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
13.43
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7425DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

vishay-semi-diodes

VS-FC420SA15

MOSFET N-CH 150V 400A SOT227

vishay-siliconix

SI7139DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIRA36DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8