Производитель Номер продукта:
IXFT32N100XHV
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT32N100XHV-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Инвентаризация:
44 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821190
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT32N100XHV Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4075 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
890W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268HV (IXFT)
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT32
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO247
IXFH50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
IXTV130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
