Производитель Номер продукта:
IXFT50N50P3
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT50N50P3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Подробное описание:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Инвентаризация:
20 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821802
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT50N50P3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 0 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4335 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXFT50N50P3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTP05N100
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
IXFH13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
IXTY1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252