Производитель Номер продукта:
IXFT52N50P2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT52N50P2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Подробное описание:
N-Channel 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Инвентаризация:
12820398
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT52N50P2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, PolarP2™
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT52
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXFT52N50P2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFT60N50P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6
Номер части
IXFT60N50P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.36
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
APT42F50S
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
APT42F50S-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
10.63
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
IXTA80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
IXTA38N15T
MOSFET N-CH 150V 38A TO263
