Производитель Номер продукта:
IXFT58N20Q
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFT58N20Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Подробное описание:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Инвентаризация:
12821195
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFT58N20Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXFT58
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
IXFT58N20Q-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTT82N25P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTT82N25P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.71
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTN5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXTH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
