Производитель Номер продукта:
IXFV12N120P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFV12N120P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Инвентаризация:
12821009
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFV12N120P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™, PolarP2™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
543W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS220
Упаковка / Чехол
TO-220-3, Short Tab
Базовый номер продукта
IXFV12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
APT13F120B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
30
Номер части
APT13F120B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.92
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTY1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO252
IXFD15N100-8X
MOSFET N-CH
IXTP90N075T2
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
