Производитель Номер продукта:
IXFX200N10P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFX200N10P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Инвентаризация:
12821918
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFX200N10P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS247™-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
IXFX200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFP4310ZPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1902
Номер части
IRFP4310ZPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.10
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFB82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
IXFK30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA
IXTH140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO247