IXFZ140N25T
Производитель Номер продукта:

IXFZ140N25T

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFZ140N25T-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Подробное описание:
N-Channel 250 V 100A (Tc) 445W (Tc) Surface Mount DE475

Инвентаризация:

12912626
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFZ140N25T Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™, Trench
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
445W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DE475
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Базовый номер продукта
IXFZ140

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
20

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4462DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO

vishay-siliconix

SI2307BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

IRL2203STRL

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

vishay-siliconix

SI7485DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8