IXTA08N100D2
Производитель Номер продукта:

IXTA08N100D2

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTA08N100D2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Инвентаризация:

6800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905635
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTA08N100D2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Depletion
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
325 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXTA08

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

ZVN4424ZTA

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3

vishay-siliconix

2N7002-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

vishay-siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP