IXTA3N100P
Производитель Номер продукта:

IXTA3N100P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTA3N100P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Инвентаризация:

100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905599
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTA3N100P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXTA3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

diodes

ZVN3310FTA

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3

vishay-siliconix

IRFD123PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP