Производитель Номер продукта:
IXTH120P065T
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTH120P065T-DG
Описание:
MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Подробное описание:
P-Channel 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентаризация:
5 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820449
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTH120P065T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
TrenchP™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
65 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
298W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 (IXTH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXTH120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFP22N65X2M
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
IXTP60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
IXFA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
