Производитель Номер продукта:
IXTN120P20T
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTN120P20T-DG
Описание:
MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Подробное описание:
P-Channel 200 V 106A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Инвентаризация:
5 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTN120P20T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
TrenchP™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
740 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
73000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXTN120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFT30N85XHV
MOSFET N-CH 850V 30A TO268
IXFH16N60P3
MOSFET N-CH 600V 16A TO247
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268