IXTN660N04T4
Производитель Номер продукта:

IXTN660N04T4

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTN660N04T4-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Подробное описание:
N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Инвентаризация:

619 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820580
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTN660N04T4 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Trench
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
660A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
860 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
44000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1040W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227B
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
IXTN660

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
littelfuse

IXTA2N100

MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

littelfuse

IXFR26N100P

MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247

littelfuse

IXTQ48N20T

MOSFET N-CH 200V 48A TO3P

littelfuse

IXFH7N80

MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD