Производитель Номер продукта:
IXTP110N12T2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTP110N12T2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12820749
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTP110N12T2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
TrenchT2™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6570 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
517W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXTP110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDP2532
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FDP2532-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.60
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTP80N12T2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTP80N12T2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.26
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFB70N100X
MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
IXFK36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
IXTY12N06TTRL
MOSFET N-CH 60V 12A TO252