IXTP160N10T
Производитель Номер продукта:

IXTP160N10T

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTP160N10T-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

2756 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12906208
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTP160N10T Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Trench
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
430W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXTP160

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRLZ44

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR430APBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

diodes

ZXMN6A08GQTC

MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

diodes

ZVN3310ASTZ

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE