IXTP3N100D2
Производитель Номер продукта:

IXTP3N100D2

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTP3N100D2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

12904405
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTP3N100D2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Depletion
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1020 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXTP3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

ZVN3320ASTZ

MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE

diodes

ZVN4310GTA

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

diodes

ZXM64N035GTA

MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223

diodes

ZXMN2069FTA

MOSFET N-CH SOT23-3