Производитель Номер продукта:
IXTP60N20T
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTP60N20T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821104
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTP60N20T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Trench
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4530 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXTP60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDP61N20
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
103
Номер части
FDP61N20-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
Similar
Номер детали
IRFB260NPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1094
Номер части
IRFB260NPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.16
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTC102N25T
MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
IXTN62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
IXFN200N07
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
