Производитель Номер продукта:
IXTP8N65X2M
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTP8N65X2M-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
46 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905806
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTP8N65X2M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
32W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IXTP8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP10NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
631
Номер части
STP10NM60ND-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.91
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCP600N60Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
781
Номер части
FCP600N60Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVP2106AS
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
IRFR9024TRR
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRF9520STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
