Производитель Номер продукта:
IXTQ18N60P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTQ18N60P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12821417
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTQ18N60P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
IXTQ18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCH041N60F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
365
Номер части
FCH041N60F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.37
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
IXTP8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IXFH13N90
MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
