Производитель Номер продукта:
IXTQ200N10T
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTQ200N10T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
14 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820372
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTQ200N10T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Trench
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
550W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
IXTQ200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRF1010EZS
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
IXFK44N50P
MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
IXTA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
