Производитель Номер продукта:
IXTQ26N60P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTQ26N60P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12820095
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTQ26N60P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
Polar
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
460W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
IXTQ26
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTQ30N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTQ30N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTQ36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
IXFT80N15Q
MOSFET N-CH 150V 80A TO268