Производитель Номер продукта:
IXTQ48N65X2M
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTQ48N65X2M-DG
Описание:
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Подробное описание:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12966522
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTQ48N65X2M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
238-IXTQ48N65X2M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH2N150
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
