Производитель Номер продукта:
IXTQ75N10P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTQ75N10P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
3 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915039
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTQ75N10P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
IXTQ75
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTP27N20T
MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
IRFPF40
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
