IXTT30N50P
Производитель Номер продукта:

IXTT30N50P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTT30N50P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Подробное описание:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Инвентаризация:

12913369
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTT30N50P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
460W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXTT30

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4431CDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

vishay-siliconix

SI4833ADY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

vishay-siliconix

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

vishay-siliconix

IRF9Z34STRRPBF

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK