IXTT36N50P
Производитель Номер продукта:

IXTT36N50P

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTT36N50P-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Подробное описание:
N-Channel 500 V 36A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Инвентаризация:

247 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12910870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTT36N50P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
540W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXTT36

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

vishay-siliconix

IRLU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

vishay-siliconix

IRL510PBF

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

vishay-siliconix

IRLR014TRPBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK