IXTT3N200P3HV
Производитель Номер продукта:

IXTT3N200P3HV

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXTT3N200P3HV-DG

Описание:

MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Подробное описание:
N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)

Инвентаризация:

5 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12823279
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXTT3N200P3HV Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Polar P3™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
2000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268HV (IXTT)
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
IXTT3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
-IXTT3N200P3HV

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF7207TR

MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

littelfuse

IXFT10N100

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

infineon-technologies

IRF7416GTRPBF

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

infineon-technologies

IRFR5305TRRPBF

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK