Производитель Номер продукта:
IXTU1R4N60P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTU1R4N60P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Инвентаризация:
12818879
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
qvhJ
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTU1R4N60P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
PolarHV™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251AA
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IXTU1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD1NK60-1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5751
Номер части
STD1NK60-1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.38
Тип замещения
Similar
Номер детали
STD2HNK60Z-1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3054
Номер части
STD2HNK60Z-1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
IXFR24N90P
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
