Производитель Номер продукта:
IXTX170P10P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTX170P10P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3
Подробное описание:
P-Channel 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Инвентаризация:
89 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTX170P10P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
PolarP™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
890W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PLUS247™-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
IXTX170
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTP48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
IXFK80N60P3
MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
IXTH20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
