Производитель Номер продукта:
IXTY01N100D
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTY01N100D-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
6296 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821215
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Vxjg
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTY01N100D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Depletion
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IXTY01
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
70
Другие названия
238-IXTY01N100D-CRL
Q14254273
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFB60N80P
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO268
IXFH36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD