Производитель Номер продукта:
IXTY02N120P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTY02N120P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
18694 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12820909
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTY02N120P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
104 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IXTY02
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
70
Другие названия
IXTY02N120P-CRL
Q14232739
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
IXTK210P10T
MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
