Производитель Номер продукта:
IXTY02N50D
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTY02N50D-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Подробное описание:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
86 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915863
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTY02N50D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Depletion
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IXTY02
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
70
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4896DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
SQD10950E_GE3
MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
SI6463BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP