Производитель Номер продукта:
LSIC1MO170E0750
Product Overview
Производитель:
Littelfuse Inc.
Номер детали:
LSIC1MO170E0750-DG
Описание:
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1700 V 6.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-247AD
Инвентаризация:
267 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
LSIC1MO170E0750 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+22V, -6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
200 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
18-LSIC1MO170E0750
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMT65R039M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPTG044N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
STD35NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
