Производитель Номер продукта:
MCB60I1200TZ
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
MCB60I1200TZ-DG
Описание:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Инвентаризация:
12915364
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MCB60I1200TZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268AA (D3Pak-HV)
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
MCB60I1200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
Q10970246
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFPG40
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO