Производитель Номер продукта:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
MMIX1F180N25T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Подробное описание:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Инвентаризация:
20 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12822065
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MMIX1F180N25T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
23800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
570W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
24-SMPD
Упаковка / Чехол
24-PowerSMD, 21 Leads
Базовый номер продукта
MMIX1F180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
20
Другие названия
-MMIX1F180N25T
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
