Производитель Номер продукта:
MMIX1T660N04T4
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
MMIX1T660N04T4-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
Подробное описание:
N-Channel 40 V 660A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Инвентаризация:
13271058
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MMIX1T660N04T4 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
660A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
860 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
44000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
24-SMPD
Упаковка / Чехол
24-PowerSMD, 21 Leads
Базовый номер продукта
MMIX1T660
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
20
Другие названия
238-MMIX1T660N04T4
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA08N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
IXTP12N70X2M
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
IXTH30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO247