Производитель Номер продукта:
SICW080N120Y4-BP
Product Overview
Производитель:
Micro Commercial Co
Номер детали:
SICW080N120Y4-BP-DG
Описание:
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 39A 223W (Tc) Through Hole TO-247-4
Инвентаризация:
338 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12999454
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SICW080N120Y4-BP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Micro Commercial Components (MCC)
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
39A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
890 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
223W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
SICW080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
360
Другие названия
353-SICW080N120Y4-BP
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM70N600ACL
700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IXFK120N60X3
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 TO2
IXFR130N65X3
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 ISO